日本正式限制半导体设备出口，涉 23 个品类

据日经新闻周二报道，日本政府 5 月 23 日正式宣布，把尖端半导体制造设备等 23 个品类列入出口管理限制对象名单。经过两个月的公示期之后，该限制措施预计于 7 月 23 日生效。

规定生效后，这 23 个品类除了向友好国等 42 个国家和地区出口外，均需要单独得到批准。

本次限制主要针对高端半导体制造设备，包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。按运算用逻辑半导体的性能来看，均属于制造电路线宽在 10～14 纳米以下的尖端产品所需设备。

据半导体风向标梳理，新增的清单包括曝光、刻蚀、成膜等六大类半导体设备：

热处理相关（1 类）

在 0.01Pa 以下的真空状态下，对铜（Cu）、钴（Co）、钨（W）（任何一种元素）进行回流（Reflow）的 “退火设备（Anneal）”。

检测设备（1 类）

EUV 曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的检测设备、或者 “带有线路的掩膜” 的检测设备。

曝光相关（4 类）

1.用于 EUV 曝光的护膜（Pellicle）。

2.用于 EUV 曝光的护膜（Pellicle）的生产设备。

3.用于 EUV 曝光的光刻胶涂覆、显影设备（Coater Developer）。

4.用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为 193 纳米以上、且光源波长乘以 0.25 再除以数值孔径得到的数值为 45 及以下）。（按照笔者的计算，尼康的 ArF 液浸式曝光设备属于此次管控范围，干蚀 ArF 以前的曝光设备不在此范围。）

干法清洗设备、湿法清洗设备（3 类）

1.在 0.01Pa 以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的设备。

2.在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻（Dry Etch）的多反应腔 (Multi-chamber) 设备。

3.单片式湿法清洗设备（在晶圆表面性质改变后，进行干燥）。

蚀刻（3 类）

1.属于向性蚀刻 (Isotropic Etching) 设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为 100 以上的设备；属于异向性 (Anisotropic Etching) 刻蚀设备，且含高频脉冲输出电源，以及含有切换时间不足 300m 秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的设备。

2.湿法蚀刻设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为 100 以上。

3.为异向性蚀刻设备，且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于 30 倍、而且蚀刻幅宽度低于 100 纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间不足 300m 秒的高速切换阀的设备。

成膜设备（11 类）

1.如下所示的各类成膜设备。* 利用电镀形成钴（Co）膜的设备。

• 利用电镀形成钴（Co）膜的设备。

• 利用自下而上（Bottom-up）成膜技术，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为 3 纳米以下的 CVD 设备。

• 在同一个腔体（Chamber）内进行多道工序，形成金属接触层（膜）的设备、氢（或者含氢、氮、氨混合物）等离子设备、在维持晶圆温度为 100 度一一 500 度的同时、利用有机化合物形成钨（W）膜的设备。

• 可保持气压为 0.01Pa 以下真空状态（或者惰性环境）的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备，以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备：（1）在维持晶圆温度为 20 度一一 500 度的同时，利用有机金属化合物，形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于 500 度的同时，在压力为 0.1333Pa 一一 13.33Pa 的范围内，利用溅射工艺，形成钴（Co）层膜的工艺。（3）在维持晶圆温度为 20 度一一 500 度的同时，在压力为 133.3Pa 一一 13.33kPa 的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜的工艺。

• 利用以下所有工艺形成铜线路的设备。（1）在保持晶圆温度为 20 度一一 500 度的同时，在压力为 133.3Pa 一一 13.33kPa 的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜、或者钌（Ru）层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于 500 度的同时，在压力为 0.1333Pa 一一 13.33Pa 的范围内，利用 PVD 技术，形成铜（Cu）层膜的工艺。

• 利用金属有机化合物，有选择性地形成阻障层（Barrier）或者 Liner 的 ALD 设备。

• 在保持晶圆温度低于 500 度的同时，为了使绝缘膜和绝缘膜之间不产生空隙（空隙的宽度和深度比超过五倍，且空隙宽度为 40 纳米以下），而填充钨（W）或者钴（Co）的 ALD 设备

2.在压力为 0.01Pa 以下的真空状态下 (或者惰性环境下)，不采用阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜设备。

3.在保持晶圆温度为 20 度一一 500 度的同时，利用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的设备。

4.“空间原子层沉积设备（仅限于支持与旋转轴晶圆的设备）”，以下皆属于限制范围。（1）利用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体封闭在等离子照射区域的 “等离子屏蔽体（Plasma Shield）” 或相关技术手法。

5.可在 400 度一一 650 度温度下成膜的设备，或者利用其他空间（与晶圆不在同一空间）内产生的自由基 (Radical) 产生化学反应，从而形成薄膜的设备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的设备属于限制出口范围：（1）相对介电常数（Relative Permittivity）低于 5.3。（2）对水平方向孔径部分尺寸不满 70 纳米的线路而言，其与线路深度的比超过五倍。（3）线路的线距（Pitch）为 100 纳米以下。

6.利用离子束（Ion Beam）蒸镀或者物理气相生长法 (PVD) 工艺，形成多层反射膜 (用于极紫外集成电路制造设备的掩膜) 的设备。

7．用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生长的以下所有设备属于管控范围。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以保持 0.01Pa 以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于 0.01Pa 的惰性环境）的设备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。（3）外延生长的工作温度在 685 度以下的设备。

8.可利用等离子技术，形成厚度超过 100 纳米、而且应力低于 450MPa 的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的设备。

9.可利用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数量低于 10¹⁹个）的设备。

10.为了不在金属线路之间（仅限宽度不足 25 纳米、且深度大于 50 纳米）产生间隙，利用等离子形成相对介电常数（Relative Permittivity）低于 3.3 的低介电层膜的等离子体成膜设备。

11.在 0.01Pa 以下的真空状态下工作的退火设备，通过再回流（Reflow）铜（Cu）、钴（Co）、钨（W），使铜线路的空隙、接缝最小化，或者使其消失。