上海：到 2030 年未来产业产值达到 5000 亿元左右，积极推动非硅基半导体材料技术研究和布局

金融界 10 月 11 日消息 上海市人民政府印发《上海打造未来产业创新高地发展壮大未来产业集群行动方案》。方案提出，到 2030 年，在未来健康、未来智能、未来能源、未来空间、未来材料等领域涌现一批具有世界影响力的硬核成果、创新企业和领军人才，未来产业产值达到 5000 亿元左右。打造 5 个未来产业集群，建设 15 个左右未来产业先导区，攻关 100 个左右核心部件，推出 100 件左右高端产品，形成 100 项左右中国标准，促进产业集聚引领发展。

加速非侵入式脑机接口技术、脑机融合技术、类脑芯片技术等领域突破

方案提出，在浦东、宝山、闵行、金山、奉贤等区域，提升 “张江研发 + 上海制造” 承载能力，打造未来健康产业集群。加速非侵入式脑机接口技术、脑机融合技术、类脑芯片技术、大脑计算神经模型等领域突破。加强脑工程学、脑神经信息学、人工神经网络等基础研究，推动类脑芯片、类脑微纳光电器件、类脑计算机、神经接口、智能假体等研发创新。突破新型微生物、病原体快速鉴定和短期规模化检测、科学追踪溯源等关键技术。推动新型疫苗、抗体及分子、免疫诊断等共性技术研发转化，开发具有自主知识产权的重大传染病防治药物，构建生物安全产业体系。

突破 XR 关键技术 加快 XR 终端产品和应用软件开发

同时要求突破 XR 关键技术，推动近眼显示、感知交互技术、渲染计算技术、云内容制作分享技术等突破。加快 XR 终端产品和应用软件开发，推动新一代通信网络（NGN）+XR 融合创新，发展软硬一体的智能交互设备产业链。构建 XR 科技应用场景，加快在教育培训、医疗健康、工业制造、体育娱乐等行业应用。围绕量子计算、量子通信、量子测量，积极培育量子科技产业。攻关量子材料与器件设计、多自由度量子传感、光电声量子器件等技术，在硅光子、光通讯器件、光子芯片等器件研发应用上取得突破。

积极推动非硅基半导体材料技术研究和布局

方案还提到，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体化合物发展，持续提升宽禁带半导体化合物晶体制备技术能级和量产规模，积极布局宽禁带半导体晶圆制造工艺技术，增强宽禁带半导体芯片产品设计能力，扩大产品应用领域。积极推动石墨烯、碳纳米管等碳基芯片材料，半导体二维材料等未来非硅基半导体材料技术研究和布局。