据外媒报道,三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极技术的 3 纳米半导体。报道称,三星电子将于 6 月 30 日正式宣布大规模生产基于 GAA 的 3 纳米半导体。GAA 晶体管结构优于目前的 FinFET 结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。
据外媒报道,三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极技术的 3 纳米半导体。报道称,三星电子将于 6 月 30 日正式宣布大规模生产基于 GAA 的 3 纳米半导体。GAA 晶体管结构优于目前的 FinFET 结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。