Memory Capacity Negotiations Scheduled Through 2030! Winbond Electronics Accelerates Expansion Plan

AI 拉动存储需求持续扩张，华邦电子不得不提前布局——客户已在抢订三年后的产能。

全球利基型存储 IDM 龙头企业华邦电子宣布提前启动中国台湾高雄路竹厂扩产规划，将原定分期推进的二、三期工程整并为 Module B 工厂同步开发。据台湾工商时报报道，该厂预计 2027 年动工兴建无尘室，最快 2029 年初开始装机。

机构人士指出，代理式 AI（Agentic AI）正在推动存储容量与先进封装需求持续增加，“相关成长趋势预期将延续相当长时间”，这正是华邦电子决定提前启动 Module B 计划的直接原因。目前已有客户提前洽谈 2029 年、2030 年的产能配额。

当季业绩：量价齐升，毛利率创高

华邦电子第二季合并营收 598.43 亿元新台币，季增 56.4%，年增 184.7%。

涨价是核心驱动力：DRAM 价格单季上涨约 100%，Flash 上涨约 43%。毛利率随之升至 66.2%，每股税后纯益（EPS）达 5.40 元。

进入第三季，涨势仍在延续。中国台湾工商时报援引机构人士预计，利基型 DRAM 与 SLC NAND 均呈供不应求，价格季涨幅约 50%；NOR Flash 受云端服务供应商（CSP）大客户积极备货拉动，价格季涨幅约 30%。

第四季涨幅预计收窄至 2% 至 5%，但机构人士认为，受益于 DRAM 产能增加及出货量成长，华邦电子营收与获利仍可维持季增走势。

Module B：产品线全面对准 AI

华邦电子高雄厂 Module B 的产品规划覆盖 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽电容（Si-Cap），并将支持 14 纳米及未来 12 纳米 DRAM 制程，后续亦规划导入 EUV 设备。

这一布局的逻辑清晰：AI 推动存储向更高密度、更先进封装演进，华邦电子需要提前锁定制程与产能，才能在客户需求兑现时不落后于市场。

设备导入将依客户需求预测（Forecast）及长期协议（LTA）分阶段推进，而非一次性满产，以控制资本支出节奏。

Si-Cap：第三条成长曲线

矽电容（Si-Cap）是此次布局中值得单独关注的一块。

机构人士将其视为华邦电子在逻辑（Logic）与存储（Memory）之外的 “第三股潜在成长动能”。华邦电子已投入约 40 亿元新台币建置专用 Si-Cap 产线。

目前量产产品的电容密度约为 3,300 nF/mm²，最新样品已达约 5,400 nF/mm²，主要面向 AI 先进封装及 AI 电源管理应用。报道预计，最快 2027 年第一季底步入量产。

Si-Cap 的逻辑在于：AI 芯片对电源稳定性要求极高，矽电容可在封装层面提供更高密度的电源去耦，是先进封装不可或缺的配套器件。华邦电子提前布局，意在卡位这一新兴需求。