Is 'The Glass Ceiling' for Memory Chip Price Hikes Approaching?

存储芯片价格上涨的势头正在明显减速。伯恩斯坦最新数据显示，2026 年第三季度 DRAM 和 NAND 合约价格环比涨幅均收窄至约 20%，较第二季度大幅放缓，且可能低于市场最新预期。供应短缺局面虽将延续至 2027 年，但涨价空间正受到需求端阻力与长期协议价格上限的双重压制。

据追风交易台，据机构伯恩斯坦 7 月存储价格追踪报告，7 月合约价格数据显示，传统 DRAM 第三季度环比涨幅约为 17%，略高于该机构自身模型预测，但可能低于市场部分最新预期。NAND 方面，若将 SSD 纳入计算，整体涨幅接近 20%，与模型基本吻合，但同样可能不及最乐观预期。

伯恩斯坦分析师 Mark Li 在报告中指出，存储正逐渐成为 AI 及非 AI 应用的成本负担，部分长期协议（LTA）中设定的价格上限也在抑制进一步涨价空间。他认为，近期股价回调为短期技术性反弹提供了机会，但价格上行空间已趋于有限。

DRAM：服务器需求强劲，但 PC 与手机端阻力加剧

DRAM 市场内部分化明显。

服务器需求依然旺盛，客户预判 2027 年供应将进一步趋紧，积极备货意愿强烈。据 TrendForce 数据，7 月服务器 DRAM 合约价格环比上涨 8% 至 15%，预计第三季度整体环比涨幅为 13% 至 18%。不过，对于已签订含价格上限 LTA 的客户，7 月价格已接近协议天花板，与非 LTA 客户的报价出现明显差距。

PC 和手机端则呈现截然不同的态势。PC DRAM 合约价格 7 月环比上涨 13% 至 16%，预计第三季度环比涨约 17%，但 OEM 厂商因内存成本上升而上调整机售价，导致 PC 出货量预计第三季度环比下滑逾 10%，采购意愿随之大幅降低。

手机 DRAM 方面，TrendForce 预计第三季度合约价格环比涨幅约为 10%，较第二季度明显收窄，手机 OEM 客户削减智能手机生产计划后，对涨价的抵触情绪显著增强。展望第四季度，TrendForce 预计手机 DRAM 涨幅将进一步收窄至个位数。

消费类 DRAM 表现相对突出，7 月合约价格环比上涨 12% 至 16%，预计第三季度环比涨幅达 24% 至 30%。但 TrendForce 观察到现货价格已开始落后于合约价格，暗示需求可能正在见顶。

NAND：晶圆价格涨势熄火，SSD 成为主要支撑

NAND 市场的分化更为明显。

晶圆合约价格 7 月基本持平，模组厂商因消费端需求疲软而拒绝接受进一步涨价，交易量极度萎缩。TrendForce 指出，在当前消费需求低迷的背景下，模组厂商认为 NAND 晶圆价格已偏高，更倾向于消化自有库存。

手机 NAND（eMMC/UFS）表现相对较好，TrendForce 预计第三季度环比涨幅约为 20%，主要是追赶 eSSD 盈利水平的补涨逻辑驱动。值得注意的是，中国供应商在此轮涨价中要价较低，因而赢得了更多出货份额。

SSD 是 NAND 板块的核心支撑。伯恩斯坦认为，客户端及企业级 SSD 合约价格第三季度环比涨幅约为 20%，将 NAND 整体涨幅拉升至接近 20%。但该机构同时指出，NAND 价格涨势将持续放缓，峰值或出现在 2027 年某个时间点，且中国竞争加剧构成结构性压力。

短期反弹窗口存在，但上行空间趋于有限

伯恩斯坦维持对三星电子、SK 海力士、美光及闪迪的"跑赢大市"评级，目标价分别为韩元 44 万、韩元 330 万、1300 美元及 3000 美元；对 KIOXIA 维持"跑输大市"评级，目标价为日元 4 万。

该机构认为，存储供应短缺局面将延续至 2027 年，价格将维持高位，但进一步上涨的空间已受到明显压缩。

一方面，PC 和手机客户库存稳定甚至上升，大幅削减出货计划后对涨价的接受度大幅下降；另一方面，部分 LTA 协议中嵌入的价格上限正在限制服务器 DRAM 的涨价幅度。此外，存储成本的持续攀升已开始对 AI 及非 AI 应用形成负担，需求端的承压迹象不容忽视。

伯恩斯坦指出，近期存储股的回调为短期技术性反弹提供了入场机会，但投资者需警惕涨价周期进入尾声阶段的风险——价格高位或已可见，而非遥不可及。