zHBM! Samsung Unveils New 3D Memory Roadmap, Striving for Leadership in AI Technology

华尔街见闻
2026.08.04 19:50

三星电子公布全新 3D 内存路线图，推出 zHBM、zNAND-O 及 V10 BV-NAND 等新技术。其中 zHBM 将高带宽内存垂直堆叠于 AI 加速器之上，性能约为下一代 HBM5 的八倍。此举旨在提升能效，超越 SK 海力士和美光科技，助力三星成为 AI 时代端到端基础设施提供商。

三星电子正大力宣传其最先进内存硬件在性能和能效方面的提升，以期在竞争中超越 SK 海力士和美光科技。三星在一份声明中表示，这一名为 zHBM 的新系统将高带宽内存垂直堆叠在 AI 加速器之上，其性能约为下一代 HBM5 的八倍。作为成为 AI 时代端到端基础设施提供商努力的一部分，三星还推出了其他新技术，包括 zNAND-O 和 V10 BV-NAND 架构。

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