Report: Top Three Memory Makers' "2027 Capacity Already Sold Out," Validating Prediction That "Next Year Will Be the Most Severe Shortage Year for Memory"

三大 DRAM 原廠 2027 年全年產能已提前售罄，AI 浪潮正將存儲市場推入前所未有的結構性短缺週期。

8 月 4 日，據媒體 DIGITIMES 援引業界人士透露，三星電子、美光及 SK 海力士的 DRAM 與高帶寬存儲器（HBM）2027 年產能已全數分配完畢，涵蓋長期協議大客户及中小型買家。

與此同時，三星電子、美光、閃迪的 NAND Flash 全年產能亦已預售一空，鎧俠與 SK 海力士預計最晚於 2026 年 8 月底前完成分配。

上述動態意味着，尚未鎖定產能的買家面臨 2027 年"無貨可買"的困境，而雲端服務巨擘與 AI 大廠的優先級持續壓縮手機及 PC 等消費性終端的供給空間。

不過，隨着主要產能陸續分配到位，業界預期 2027 年價格漲幅將較 2026 年趨緩，但供給緊張與終端成本壓力短期內難以實質緩解。

AI 浪潮是此輪產能告罄的核心驅動力。各大原廠近期已陸續與大客户簽訂 3 至 5 年期長期供貨協議（LTA），將存儲市場從傳統商品週期拉入長期賣方市場格局。

威剛董事長陳立白證實，三大原廠 2027 年產能早已售罄，HBM 與 AI 服務器相關應用將佔據 DRAM 產能約七成。

在總產能受限的情況下，原廠優先滿足雲端服務（CSP）及 AI 大廠需求，直接壓縮手機及 PC 廠商的配額。

業界估計，原廠實際可提供的產能通常僅達買方原定目標的六至七成，手機及 PC 廠商 2027 年能取得的 DRAM 配額，預計將較 2026 年明顯減少。

SK 集團會長崔泰源近期表示，2027 年 AI 半導體需求可望較 2026 年大增 60% 至 100%，整體儲存需求增幅估達 50% 至 60%，供需缺口恐持續擴大，2027 年將面臨史上最嚴重的短缺與供需失衡。

相較於 DRAM，NAND Flash 市場供應商較多，買方仍存在一定的談判空間。

外界對 2027 年 NAND 供需逆轉持有疑慮，認為新產能陸續釋放疊加消費需求疲弱，2027 年下半年供需或趨於寬鬆，價格壓力隨之升高。

然而業界人士對此看法持保留態度。

相關業者指出，2027 年企業級固態硬盤（SSD）需求仍強，供給緊缺有望延續至 2028 年，原廠擴產評估不宜過於樂觀。

陳立白亦指出，企業級儲存需求強勁，帶動 NAND Flash 與硬盤市場供給同步趨緊。

此輪產能分配模式出現結構性轉變。

據報道援引供應鏈人士透露，面對 2026 年產能供不應求局面持續蔓延，多家雲端服務巨擘與品牌廠商不惜代價爭搶產能，各大廠商紛紛提前鎖定未來產能，並配合原廠推行的預付訂金模式完成交易。

所謂產能分配，涵蓋範圍不限於簽署長期協議的大客户，也包括 2026 年已獲產能分配、但原廠未必願意簽訂長約的中小型買家。各家原廠將經內部協調後，通知相應的產能額度。

業界人士指出，部分廠商對 7 月至 8 月是產能分配關鍵窗口期一事仍不知情，"大家都不宣揚，就是怕太多人進來，結果自己分少了。"

儘管供給持續吃緊，價格軌跡卻可能與 2026 年有所不同。

業界普遍認為，由於主要產能已基本分配到位，DRAM 與 NAND 的最終價格將待接近實際出貨期時才進一步確定，2027 年的價格漲幅有望較 2026 年的倍數式暴漲趨於温和。

然而，"價格高位常態化"將成為新常態。

存儲原廠手握產能分配大權，預計仍將強勢維持市場報價走升，整體市場供給緊張與終端成本壓力短期內難以實質緩解。

對於尚未完成產能鎖定的廠商而言，被迫接受更高價格採購，或在供給上陷入被動，將是 2027 年面臨的主要風險。