
长鑫科技(688825.SH)上市引发竞争担忧 美股存储芯片板块遭抛售 SK海力士(SKHY.US)跌破发行价
受长鑫科技上市引发竞争担忧及 AI 基础设施投资疑虑升温影响,全球存储芯片板块遭大幅抛售。SK 海力士 ADR 跌破发行价,美光等股同步走低。费城半导体指数创 5 月以来新低,反映市场撤离 AI 半导体板块。尽管 SK 海力士宣布与英伟达合作建设 AI 数据中心,但未能提振股价,投资者对 AI 产业链资本开支持续扩大及回报前景表示担忧。
智通财经 APP 获悉,在人工智能 (AI) 基础设施投资担忧升温及存储芯片厂商长鑫存储母公司长鑫科技 (688825.SH) 强势上市等多重因素影响下,全球存储芯片板块周一遭遇大幅抛售。SK 海力士 (SKHY.US) 美国存托凭证上市不足一个月便跌破发行价,美光科技 (MU.US)、闪迪 (SNDK.US) 等存储芯片股同步走低。
周一,SK 海力士 ADR 一度下跌 10%,最低触及 139.01 美元,跌破 7 月 9 日 IPO 时 149 美元的发行价,最终收报 143.02 美元,较发行价低约 4%。此次 IPO 募资规模高达 265 亿美元,创下今年全球最大 IPO 之一。
与此同时,费城半导体指数延续近期跌势,收于 5 月 19 日以来最低水平,显示市场持续撤离此前涨幅较大的 AI 半导体板块。
分析人士认为,本轮调整主要受到 AI 基础设施投资担忧加剧影响。
此前有报道称,英伟达 (NVDA.US) 正洽谈总规模超过 7500 亿美元的 AI 基础设施项目,并计划为 OpenAI 相关数据中心项目提供融资支持,引发市场对 AI 产业链资本开支持续扩大的担忧。受此影响,英伟达信用违约掉期价格周一创下有记录以来最大单日涨幅,投资者风险偏好明显降温。
值得注意的是,就在股价大跌之际,SK 海力士宣布将与英伟达合作,在韩国建设总规模超过 2 吉瓦 (GW) 的 AI 数据中心,相当于可满足约 150 万户家庭的用电需求。其中,由 SK Telecom 建设的首座 “AI 工厂”(AI Factory) 预计将于明年投入运营。
不过,这一利好消息未能提振股价,市场关注焦点仍集中于 AI 产业持续攀升的资本投入及未来回报前景。
另一方面,长鑫科技周一登陆上交所,进一步加剧市场对行业竞争的担忧。该股上市首日股价大涨 466%,市值迅速升至约 4840 亿美元。公司主营 DRAM 存储芯片,与 SK 海力士、美光及三星电子构成直接竞争。
与此同时,另一家国内存储芯片厂商长江存储也预计将于今年晚些时候启动 IPO,其主营 NAND Flash 闪存产品,将与美光、闪迪及 SK 海力士展开竞争。受市场情绪拖累,美光周一收跌 2.25%,闪迪跌幅则达到 11.02%。
