
特朗普政府施压,SK 海力士在美选址建厂,崔泰源:条件合适就投资!
SK 海力士会长崔泰源首度公开表态正在全球物色存储晶圆厂选址,美国在列。这是迄今最明确的赴美建厂信号——背后是美国商务部长点名施压、美光 2500 亿美元扩产的步步紧逼。与此同时,海力士 CEO 警告 2027 年将现史上最严存储荒,HBM 需求更是供不应求。这家市值 1.2 万亿美元的芯片巨头,正站在全球产业版图重构的风暴中心。
SK 集团会长崔泰源公开表态,正在全球范围内为 SK 海力士物色存储芯片生产基地选址,美国在列。这是迄今为止 SK 海力士对美国本土建设前端晶圆厂可能性最为明确的官方表态,也将外界对这家全球最大高带宽存储芯片(HBM)供应商的投资去向争夺推向新的高潮。
崔泰源于当地时间 10 日在纽约接受 CNBC 采访时表示,"我们目前不仅在美国,也在全球范围内进行尽职调查,寻找合适地点。如果在美国找到合适位置,我们将进行投资。"他同时为美国建厂设定了明确条件:电力、纯净水源、土地、劳动力以及能够支撑供应链的产业生态缺一不可。此番表态发生在美国商务部长 Howard Lutnick 公开施压后仅一日——Lutnick 在密歇根美光半导体工厂活动上点名要求三星电子和 SK 海力士赴美建设生产设施。
这一表态令市场高度关注 SK 海力士最终的投资方向。与此同时,SK 海力士完成迄今为止外国企业在美最大规模首次公开募股,融资 265 亿美元,市值突破 1.2 万亿美元,超越美光和 AMD。在供给短缺有望延续至 2030 年之后的判断下,各方对这家"黄金母鸡"的争夺正在加剧。
美方压力骤增,崔泰源首提美国建厂
美国政府推动本土存储芯片产能扩张的意图已明确无误。Howard Lutnick 于 9 日出席美光在纽约克莱市新建晶圆厂奠基仪式时表示,"美光打响头阵,竞争对手终将别无选择,只能跟进。"同日,美光宣布将 2035 年前的美国本土投资规模扩大至 2500 亿美元,并计划在美生产全球 40% 的 DRAM。这一计划此前已两度上调。
分析人士认为,美光扩产公告的时机——恰在 SK 海力士纳斯达克上市前一日——是一则针对在 HBM 市场与美光竞争的韩国企业的明确信号。在特朗普政府实现全球 40% 半导体产能在美生产的目标框架下,三星电子和 SK 海力士被视为重点争取对象。
崔泰源随后对美国建厂表达了有条件的开放态度。他指出,除印第安纳州在建的先进封装基地之外,正就进一步投资进行审议,并明确表示建设存储晶圆厂在条件具备的前提下是可能的。分析人士认为,美国政府在财税补贴之外,亦可能以半导体关税作为谈判筹码向全球芯片企业施压。
三星电子和 SK 海力士目前均未就 Lutnick 的表态发表官方声明,称尚未收到美国政府的具体投资要求。但据业内人士透露,三星电子会长李在镕、三星电子 DS 部门负责人全永铉、SK 集团会长崔泰源以及 SK 海力士 CEO Kwak Noh-jung 眼下均身处美国,美方立场料已通过直接或间接渠道传达至上述人士。
供给短缺判断强化,CEO 预警 2027 年最严峻
SK 海力士 CEO Kwak Noh-jung 在纳斯达克上市当日接受彭博和路透采访时表示,"从供应端来看,明年将是行业史上最艰难的一年。"他同时指出,存储供给短缺状况有可能延续至 2030 年之后,并补充称,客户之所以签署长期供货合同,正是因为他们同样预期这一短缺局面将长期持续。
据彭博援引 Kwak 的表态,全球存储行业正在走向有史以来最严峻的供给短缺,预计峰值出现在 2027 年。
市场研究机构 TrendForce 数据显示,今年二季度通用 DRAM 和 NAND 闪存价格分别环比上涨 58% 至 63% 和 55% 至 60%;三季度预计继续上涨,DRAM 涨幅 13% 至 18%,NAND 涨幅 10% 至 15%。KB 证券研究主管 Kim Dong-won 预计,2027 年存储供给短缺将比 2026 年更为严峻——KB 证券数据显示,届时 DRAM 和 NAND 需求增速将分别达到 17% 和 19%,而晶圆产能增速预计仅为 7% 和 4%。
崔泰源亦对 HBM 需求降温的担忧予以正面驳斥。他明确表示,"HBM 市场收缩的迹象根本不存在。"他还透露,客户不仅要求双倍的 HBM 供货量,连传统 DRAM 的订单量亦在翻倍要求中。据韩国媒体韩国经济报道,客户甚至要求 SK 海力士将供应量扩大至现有水平的五至六倍。
本土巨额投资已定,赴美建厂将面临取舍
赴美建厂的可行性压力,很大程度上来自 SK 海力士已锁定的庞大国内投资计划。
SK 海力士上月宣布,将围绕龙仁半导体集群、清州及湖南地区,打造总规模达 1100 兆韩元的国内 AI 存储生产带,其中龙仁和湖南各投入 600 兆韩元和 400 兆韩元。三星电子亦分别在平泽 - 龙仁集群和韩国西南地区规划投资 2030 兆韩元和 400 兆韩元。两家企业合计投资规模约达 4500 兆韩元(约合 3 万亿美元)。
相比之下,SK 海力士目前在美的唯一实质性投入,是位于印第安纳州西拉法叶市、投资规模约 38.7 亿美元的先进封装基地,计划 2028 年投产,负责 HBM 与 AI 加速器的互联封装。若在此基础上再建前端晶圆厂,SK 海力士在美供应链将从封装延伸至全栈生产,所需投入规模料以数十兆韩元计。
业内人士指出,美国建厂面临成本高、生态薄弱等现实障碍——劳动力成本和建设成本远高于韩国,材料、零部件及设备配套体系亦相对欠缺,同等规模工厂所需投入的成本和时间将显著高于在韩建厂。在此背景下,本土与美国之间的有限投资资本分配之争将趋于激烈。韩国业界正呼吁政府出台更明确的税收支持和补贴政策,以应对美国压力。
AI 驱动的多元投资版图
除存储制造外,崔泰源还勾勒了 SK 集团在美 AI 产业的更宏观投资图景。他在纳斯达克上市活动期间表示,预计在 AI、AI 数据中心、相关技术及初创企业方面的投资将达到"至少数百亿美元",并正在探索与合作伙伴开展多种形式的 AI 业务合资合作,"预计大规模投资将很快落地"。
SK 海力士此前已于今年在美国成立 AI 解决方案公司(暂定名"AI Company"),据路透报道,SK 海力士亦在美承诺 100 亿美元用于构建 AI 解决方案业务。
崔泰源还就此次纳斯达克上市的战略价值作出阐述,认为美国上市将有助于借助股权激励吸引全球顶尖人才,并指出随着美国及全球股东大量涌入,建立新的公司治理架构的必要性正在上升。
SK 海力士今年一季度以 58.1% 的市占率领跑全球 HBM 市场,超越三星电子和美光。据华尔街日报报道,其 ADR 上市首日收盘市值达 1.2 万亿美元,纳斯达克上市融资规模 265 亿美元亦创外国企业在美发行纪录。但彭博专栏文章亦指出,产能扩张并不必然转化为股东回报,存储行业的高度周期性意味着从峰值到谷底最短仅需两年,投资者应保持审慎。
