The Antitrust Time Bomb Behind the AI Memory Frenzy: Three Giants Face U.S. Class Action, HBM Transition Accused of Manipulating DRAM Prices

席卷全球的内存价格飙升，正演变为一场法律风暴。三星、SK 海力士与美光这三家掌控全球 DRAM 市场的芯片巨头，于上周在美国联邦法院遭遇集体诉讼，被指借向人工智能高带宽内存（HBM）战略转型之名，协同压缩传统 DRAM 产能，致使相关价格在过去四年内暴涨约 700%。

诉讼于 6 月 25 日在加州联邦法院提起，原告方代表在近期价格上涨周期内购买含商用 DRAM 产品的消费者及企业。诉状将苹果公司近期对 iPad 和 Mac 产品线的全面提价援引为直接损害案例，视其为提起诉讼的直接导火索，并指控三家公司协同削减 DDR3、DDR4 等传统内存产能，人为制造"RAMpocalypse"（内存末日）式的供给短缺与价格暴涨。

本案并非无先例可循。三星与 SK 海力士曾于 2000 年代就美国司法部提起的刑事价格操纵指控认罪，合计缴纳 7.31 亿美元罚款，多名高管被判处监禁。诉状明确援引这一记录，试图确立三家公司长期串谋的行为模式，令当前指控具备更强的法律依据。

对投资者而言，无论诉讼走向如何，内存价格高位在短期内均难以逆转。Jefferies 预计，2026 年第三季度内存价格将较上一季度再涨 40% 至 50%，第四季度继续环比上行 30% 至 40%，2027 年全年价格同比仍将增长 40% 至 45%，最早要到 2028 年方可能出现较为明显的放缓——这意味着下游企业与终端消费者面临的成本压力将延续相当长时间。

诉状的核心论点在于：三星、SK 海力士与美光凭借其在全球 DRAM 市场的寡头地位，在协同推进向 HBM 转型的同时，以这一战略调整为由大幅削减 DDR3、DDR4 等商用内存的产能，人为制造供给收缩。据诉状援引的数据，上述协同行动导致商用 DRAM 价格在过去四年间累计上涨约 700%，对全球消费电子及商业 IT 采购造成广泛冲击。

苹果近期对 iPad 和 Mac 的大范围提价被原告方援引为价格传导的典型案例：三家厂商在上游制造的供给缺口，已通过产业链层层转嫁，最终落在终端消费者身上。

此次诉讼的法律论据并非凭空而来。三星与 SK 海力士曾于 2000 年代就美国司法部提起的刑事价格操纵案正式认罪，两家公司合计缴纳 7.31 亿美元罚款，多名涉案高管被判处监禁。

诉状援引这一历史记录，旨在向法庭呈现三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式，以强化当前指控的可信度与法律效力。相较于初次被指控的被告，这一前科记录为原告方提供了较为有力的参照依据，也令被告方的辩护面临更高的舆论与法律成本。

与诉讼进程并行的，是市场对内存价格走势的持续悲观预期。包括联想在内的多家企业已公开表示，内存高价将成为"新常态"。分析人士也指出，此类表态背后存在引导消费者提前下单、避免观望的商业动机。

Jefferies 的预测更为具体：该机构预计 2026 年第三季度内存价格将较上一季度再涨 40% 至 50%，第四季度继续环比上行 30% 至 40%；进入 2027 年，全年价格料同比再增 40% 至 45%，价格的实质性放缓最早要等到 2028 年。对下游企业及终端消费者而言，内存成本的持续攀升将在相当长的周期内继续向最终产品定价传导，消费电子、服务器及企业 IT 采购的成本结构均面临持续重构压力。