存储暴跌！韩媒：英伟达 Rubin 预期减产，SK 海力士 HBM4 扩产放缓

韩国一篇行业报道在全球市场引发连锁反应，将高带宽存储芯片供应前景的隐忧推至台前。

据韩国媒体 23 日报道，SK 海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张节奏，并将资源重新倾斜至通用型 DRAM 市场。

这一消息成为触发存储股大幅回调的导火索。彭博社与 CNBC 均援引消息称，"交易员将矛头指向一篇韩国媒体报道——SK 海力士正在放缓 AI 存储芯片扩产，并将重心转回通用型 DRAM"。

由于存储股约占韩国综合指数（KOSPI）权重的 60%，韩国股市随即暴跌逾 10%，并触发熔断机制，恐慌情绪随后向全球市场蔓延。

报道援引一名熟悉 SK 海力士内部情况的人士表示，鉴于英伟达下一代芯片"Rubin"的生产预测持续下调，该公司管理层已无必要加速推进向 HBM4 的产线转换。此番表态令市场对高端 AI 基础设施的需求前景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力。

周二美光收跌 13%，西部数据收跌 8.5%。

通用 DRAM 利润率反超 HBM，促使 SK 海力士重新配置资源

韩国媒体报道的核心逻辑在于存储市场内部的盈利结构变化。

截至今年一季度，通用型 DRAM 与 HBM 之间的营业利润率差距已扩大至逾 15 个百分点，通用 DRAM 反而占据优势。大信证券预计，通用 DRAM 的营业利润率在年内理论峰值可达 90%。

在此背景下，SK 海力士据报正延迟将部分第五代 HBM（HBM3E）产线转换为 HBM4 的计划，转而加大对通用 DRAM 市场的供应响应能力。SK 海力士管理层不得不正视竞争对手三星电子已通过通用 DRAM 获取丰厚利润这一现实。

SK 海力士在一季度财报中亦披露，DRAM 平均售价已升至 60% 中段水平，并与微软签署了一份为期三年的 DDR5 供应合同，外界普遍将此解读为公司在通用 DRAM 领域锁定长期收益能见度的举措。

华尔街看多 DRAM 周期，HBM 市场份额存分歧

多家海外投行的研判与上述战略取向相互印证。

高盛认为，SK 海力士至少在 2026 年前维持 HBM3 及 HBM3E 合计逾 50% 的市场主导地位即已足够；

摩根士丹利则将整体存储价格周期而非 HBM 份额保卫战视为 SK 海力士估值的核心驱动因素，并基于 DRAM 均价至 2026 年将上涨 62% 的预测，将盈利预测上调 56% 至 63%。

然而，HBM4 扩产放缓也为竞争对手打开了窗口。

据 Counterpoint Research 数据，SK 海力士去年四季度 HBM 市场份额为 57%，但若三星电子在今年下半年成功实现 HBM4 量产，SK 海力士的份额或逐步收窄至 50% 至 60% 区间。

高端 AI 供应链压力浮现，英伟达 Rubin 系统备受关注

此次报道引发市场波动，折射出投资者对高端 AI 基础设施建设节奏的深层担忧。

SK 海力士知情人士在报道中明确提及，英伟达下一代"Rubin"芯片的生产预测正在下调，这一表述直接冲击了市场对 HBM4 需求强劲的预期。

从更宏观视角来看，这一动向也与高端英伟达系统的推进困境相呼应。搭载 HBM4 的 Vera Rubin 机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压。

SK 海力士此次放缓 HBM4 扩张，究竟是主动管理定价节奏的战略选择，还是终端需求走软的信号，目前市场尚存分歧，但其触发的全球风险规避情绪已然真实落地。