Samsung Strike, Micron Poaches Talent

华尔街见闻
2026.05.21 05:25

三星劳资风波未息,美光已悄然在首尔 “挖墙脚”。美光近期发布多个 HBM 设计职位,Principal 级年薪最高可达 3 亿韩元,剑指三星动荡中可能流失的顶尖工程师。分析指出,美光在 HBM4 竞赛中已落后于对手,此番赴韩抢人是补强人才短板的战略之举。

三星劳资风波尚未平息,美光已悄然在首尔布局抢人。

据 Business Korea 等媒体报道,美光近期在韩国启动 HBM 设计岗位招聘,目标直指三星劳资紧张局势下可能流出的顶尖半导体人才。此举被视为美光在 HBM4 竞赛中追赶对手的战略性布局。

三星虽已暂时化解全面罢工风险,但分析人士警告,此次劳资风波对韩国制造业信誉造成的无形损伤难以在短期内修复,海外客户或需为潜在供应中断做好预案,竞争对手有望从中受益。

美光首尔招兵,薪酬最高达 3 亿韩元

据报道,美光近期在韩国发布多个 HBM 设计职位,包括"Staff HBM Design Architect"及"Principal HBM Design Architect",工作地点均设于首尔。

从职位描述来看,相关岗位聚焦下一代 HBM 研发,涵盖 DRAM 电路设计、功耗与面积及速度优化、架构评审及功能验证等核心工作。美光在招聘公告中明确表示,上述职位旨在为 AI、机器学习及高性能计算应用开发 HBM 解决方案。被录用人员还将参与基于硅通孔(TSV)的 3D 堆叠、功耗优化及高速接口等核心 AI 存储技术的研发。

在任职资格方面,Staff 级别要求相关学士学位及至少三年半导体设计经验;Principal 级别则要求五至七年电路设计经验(视学历而定),门槛较高,明确指向资深技术人才。

薪酬方面,据业内人士估算,按美国薪资标准折算,Staff 级别年薪约为 1 亿至 1.5 亿韩元(约合 6.67 万至 10 万美元);Principal 级别含绩效薪酬在内年薪可达约 3 亿韩元(约合 135.5 万人民币),此外还提供额外奖金及股票激励。

HBM4 落后,美光借势补强人才短板

TrendForce 分析指出,美光目前在 HBM4 竞赛中落后于竞争对手,正积极寻求追赶,并将三星近期的劳资动荡视为吸引顶尖人才的战略窗口。

鉴于 HBM 生产的高度复杂性及其对专业技术人才的强依赖,分析认为,美光直接赴首尔招募经验丰富的工程师,是强化自身竞争地位的合理且必要之举。

值得注意的是,美光并非唯一瞄准韩国人才市场的海外企业。据报道,特斯拉今年也积极在首尔招募半导体工艺工程师,用于其 Terafab 相关业务。

三星暂避罢工,信誉损伤难以速愈

三星此次虽有惊无险,避免了全面罢工的爆发,但潜在代价不容小觑。据 FNnews 报道,业界估算,若罢工持续 18 天,可能造成高达 100 万亿韩元的直接及间接损失,同时导致全球 DRAM 供应减少 3% 至 4%、NAND 供应减少 2% 至 3%。

协议虽已达成,但分析人士指出,韩国制造业长期以来凭借准时交付高质量产品建立起的信誉,正面临外界质疑。此次风波引发海外客户对供应稳定性的担忧,而竞争对手或将从中获益。分析人士称,恢复信誉与品牌形象等无形资产,所需时间将远超解决劳资纠纷本身。