What Signals Did SK Hynix Release Regarding Memory in Q1?

第一季度，SK 海力士營收達 52.6 萬億韓元，環比大增 60.2%，營業利潤 37.6 萬億韓元，環比接近翻倍，整體業績與最新市場一致預期基本吻合。

據追風交易台，伯恩斯坦（Bernstein）4 月 23 日報告指出，SK 海力士 2026 年第一季度業績證明，存儲芯片價格強勢並非曇花一現。公司明確表示，供應短缺具有結構性特徵，當前的有利定價環境將比以往週期持續更長時間。

值得關注的是，受鎧俠股權重估收益拉動，淨利潤高達 40.3 萬億韓元，環比飆升 164.6%，顯著超出預期。公司指引顯示，第二季度 DRAM 和 NAND 出貨量均將回升，存儲市場景氣度有望延續。

展望方面，SK 海力士判斷 HBM（高帶寬內存）需求在未來三年將遠超自身供給能力，並計劃 2026 年全年資本支出較上年大幅提升。

定價強勢，公司判斷短缺具結構性

SK 海力士第一季度 DRAM 均價環比上漲中 60% 區間，NAND 均價漲幅則達中 70% 區間。對比來看，美光同期 DRAM 均價漲幅同樣處於中 60% 區間，NAND 漲幅則在高 70% 區間，兩家公司定價走勢高度一致。

SK 海力士明確表示，當前存儲供應短缺屬於結構性問題，客户普遍將確保供應置於壓價之上。公司因此判斷，強勁定價環境的持續時間將長於以往週期，現貨價格的階段性回落亦不代表本輪週期已見頂。

從利潤率角度看，這一判斷有據可依：第一季度 SK 海力士整體毛利率達 79.3%，DRAM 毛利率升至中 80% 區間，NAND 毛利率亦可能突破 60%，公司整體毛利率水平已明顯超越 2017 至 2018 年的歷史峯值。

HBM 需求持續旺盛，未來三年供不應求

HBM 業務是本季度 DRAM 收入超預期的核心驅動。

SK 海力士表示，未來三年 HBM 需求將遠超其自身供給能力，公司將在 HBM 與傳統 DRAM 之間保持產能的平衡配置。

在產品路線圖上，HBM4 將按客户時間表推進量產，但未披露具體時間節點；HBM4E 已於 2026 年下半年進入客户送樣階段，計劃於 2027 年正式量產。

出貨量方面，第一季度 DRAM 出貨量環比持平，低於伯恩斯坦原本預測中有所增長的判斷；NAND 出貨量則環比下降約 10%。

公司指引第二季度 DRAM 出貨量將實現高個位數百分比增長，NAND 出貨量也將由跌轉升，實現環比反彈。

資本支出大幅提升，產能擴張有序推進

SK 海力士指引 2026 年全年資本支出將較上年顯著增加，但未披露具體金額。

據伯恩斯坦預測，全年資本支出約為 420 億韓元（約合 420 萬億韓元量級），高於 2025 年的 275 億韓元。公司表示，支出將重點投向基礎設施建設與戰略性設備採購。

在具體產能規劃上，位於龍仁的第一晶圓廠（Y1）第一期潔淨室預計於 2027 年 2 月建成，規劃用於 DRAM 生產，整體項目共規劃六期。

NAND 方面，SK 海力士正通過技術升級實現產能擴充，計劃於 2026 年底前將 50% 的國內產能遷移至 321 層堆疊工藝。

儘管第一季度資本支出環比有所下降，主要受季節性因素影響，但仍明顯高於 2025 年大部分季度的水平。