Samsung HBM plan: HBM4 dominates this year's shipments, HBM5 substrate upgraded to 2 nanometers

三星电子正加速推进下一代高带宽内存布局。在 HBM4 今年正式进入量产的同时，三星已将目光投向更远一代产品——计划将 HBM5 基片工艺从 4 纳米提升至 2 纳米，并以 1d DRAM 作为 HBM5E 的核心堆叠存储。与此同时，HBM4 将占据今年三星 HBM 总出货量的逾半数，整体 HBM 产能较去年增长超过三倍。

据 ETNews 和韩联社报道，三星电子内存开发负责人、副总裁 Hwang Sang-jun 在英伟达 GTC 大会上披露了上述规划。他表示，HBM5 的基片（base die）将采用三星晶圆代工的 2 纳米工艺，较 HBM4 及 HBM4E 所用的 4 纳米工艺实现跨代升级，以满足下一代 AI 工作负载对内存性能的更高要求。

在产能目标方面，Hwang Sang-jun 表示，三星计划今年 HBM4 在全部 HBM 出货中的占比超过 50%，同时整体 HBM 产量较去年提升逾三倍。这一表态显示出三星在 AI 存储市场的扩张决心，对高端 DRAM 供应格局及下游 AI 加速器供应链具有直接影响。

除存储路线图外，Hwang Sang-jun 还透露，推理芯片 Groq 3 正在三星平泽园区生产，量产目标定于今年第三季度末至第四季度初，订单量已超出预期。三星由此从单纯的内存供应商向 AI 加速器全栈合作伙伴进一步延伸。

据 ETNews 报道，Hwang Sang-jun 在英伟达 GTC 上明确表示，HBM5 的基片将采用三星晶圆代工的 2 纳米工艺，较 HBM4 及 HBM4E 所使用的 4 纳米工艺实现重要升级。基片工艺的提升通常有助于改善内存带宽与能效表现。

Hwang Sang-jun 指出，采用前沿制程虽会带来成本上升，但为达成 HBM 的目标性能，引入先进工艺不可避免。这一表态明确了三星在高端 AI 存储领域以工艺升级驱动性能跃迁的技术路径。

在 HBM5E 层面，据 ETNews 报道，Hwang Sang-jun 表示该产品将以 1d DRAM 作为核心堆叠存储，相较于 HBM4 及 HBM4E 所采用的 1c DRAM 再度升级。

用于 HBM5E 的 1d DRAM 目前仍处于三星内部研发阶段，尚未商业化。不过，据 ETNews 援引知情人士称，三星已在该技术上取得较强的性能表现与测试良率，显示出向量产推进的积极信号。

据韩联社报道，Hwang Sang-jun 表示，三星今年的目标是使 HBM4 在全部 HBM 出货中的占比超过 50%，同时全年 HBM 产量较去年提升超过三倍。

HBM4 今年才正式进入量产阶段。三星计划在推动规模化量产的同时，大幅扩充整体 HBM 产能，以匹配 AI 芯片市场对高带宽内存持续攀升的需求。上述产能扩张计划若得以落实，将对高端 DRAM 市场的供应格局产生实质影响。

在存储业务之外，三星正通过代工 Groq 3 推理芯片进一步扩展在 AI 加速器产业链中的定位。

据韩联社报道，Hwang Sang-jun 表示，英伟达 CEO Jensen Huang 已公开认可三星在 Groq 3 上的贡献，该芯片正在三星平泽园区生产，量产目标为今年第三季度末至第四季度初，当前订单量已超出预期。

据韩联社报道，Groq 3 芯片裸片面积超过 700 平方毫米，每片晶圆仅可切出约 64 颗芯片，远低于通常的 400 至 600 颗。该芯片约 70% 至 80% 的面积由 SRAM 构成，可在片上完成快速推理运算，无需依赖外部 HBM。Hwang Sang-jun 还透露，Groq 早在与英伟达签署许可协议之前，便已是三星晶圆代工的客户。

据 SEDaily 报道，三星代工 Groq 3 LPU 芯片被市场广泛视为其成为下一代 AI 加速器全栈平台核心合作伙伴的重要标志。在三星晶圆代工部门进入英伟达供应链之后，三星的角色已从此前单纯供应内存，延伸至 LPU 制造领域，与英伟达生态系统的合作深度进一步扩展。