The memory super cycle may be hard to sustain? Samsung predicts: DRAM shortage may end before 2028

人工智能热潮将存储芯片行业推至罕见景气周期，但两大巨头正在主动踩刹车。

三星电子与 SK 海力士正对 DRAM 扩产计划持更为审慎的态度，据韩国媒体报道，三星内部预计本轮存储短缺将于 2028 年前后趋于缓解，并据此校准投资节奏，以避免重蹈过度扩张的覆辙。与此同时，SK 海力士亦多次公开表态，将以实际需求而非乐观预期作为扩产依据。

上述策略正在向整条供应链传导。在高带宽内存（HBM）持续吞噬封装与测试产能的背景下，传统 DRAM 的有效供给受到进一步压缩，合同价格与现货价格双双大幅攀升。据报道，DRAM 成本上涨将使智能手机物料清单（BoM）提升最高 25%，中低端机型首当其冲。

当前局面并非单纯的供应缺口，而更接近一种由利润逻辑主导的结构性稀缺——两大供应商在充分享受短缺红利的同时，刻意控制产能投放节奏，以规避下一轮过剩周期的风险。对于原始设备制造商（OEM）和终端消费者而言，这意味着存储价格在相当一段时期内难以回归此前的低位区间。

AI 加速器的爆发式需求使 HBM 成为存储行业当前最具盈利能力的产品线。来自英伟达、AMD 以及各类定制 ASIC 的订单持续增长，而 HBM 的生产不仅占用晶圆产能，更高度依赖硅通孔（TSV）工艺、堆叠封装、热验证及良率管理等高度专业化的后端资源，其复杂程度远超传统 PC 或智能手机 DRAM。

这一优先级的切换直接挤压了常规 DRAM 的产能分配。三星与 SK 海力士越是将资源向利润率最高的 HBM 产线倾斜，传统 DRAM 细分市场所承受的供给压力便越大。成本抬升已不再局限于服务器领域，而是加速向消费终端蔓延——智能手机感受尤为明显，存储成本在整机 BoM 中的权重正显著回升。

DRAM 市场当前正经历多季度以来最为剧烈的短缺，合同价格出现三位数涨幅，已超出行业以往的历史经验范围。在此背景下，三星的研判格外值得关注——该公司预计，这一轮以 AI 算力需求为主要驱动力的内存超周期将在 2028 年前后走向终结。

为应对这一前景，三星正调整资本支出节奏，将扩产计划与需求预测更紧密地对齐。据报道，避免"过度投资"已成为三星当前内存业务战略的核心关切之一。

理解当前谨慎策略的背景，需回溯疫情退潮后的那段惨痛经历。彼时 PC 换机需求骤降，企业端采购同步萎缩，制造商手握过剩库存，价格持续下行，利润空间急剧收窄，韩国存储巨头深陷这一周期泥潭，至今记忆犹新。

这段历史，正是两家公司如今对"扩大生产设施"保持高度警惕的重要原因。供应商普遍担忧，一旦贸然扩产，而需求端在基础设施投资趋稳后出现回落，将重蹈此前过剩周期的覆辙。

对于智能手机、笔记本电脑及 SSD 存储等下游制造商而言，处境正在恶化。DRAM 成本大幅走高叠加供给优先向 HBM 倾斜，意味着普通消费类产品面临的采购压力将持续累积。

以智能手机为例，若存储成本在 BoM 中的占比出现两位数百分点的提升，将对竞争激烈的中端及走量机型产生直接冲击。分析认为，OEM 届时只剩三条路可选：压缩自身利润、降低产品规格，或上调终端零售价。而在当前市场竞争格局下，对消费者最友善的选项往往排在最后。各环节的利润缓冲并非无穷无尽，价格压力向终端传导只是时间问题。

综合来看，三星与 SK 海力士的行为逻辑是清晰而一致的：在过热市场中充分变现短缺红利，同时拒绝重复过去盲目扩张后深陷折价去库存的困境。

当前存储市场所呈现的，并非传统意义上的硬性供应缺口，而更像是一种由明确利润逻辑驱动的战略性管控稀缺——供给量恰好足以维持价格高位，却不足以终结这场盛宴。在 HBM 持续提供最高毛利率的前提下，传统 DRAM 将在相当长的时间内维持"被需要但不被优先"的地位。任何期待存储价格迅速回归旧有低谷的市场参与者，或许需要重新校准预期。