SK Hynix's crucial battle! Report: Final samples of HBM4 are about to be delivered, and if they pass NVIDIA's certification, mass production could begin this month

SK 海力士迎来 HBM 市场的关键转折点。

3 月 10 日，韩国 Citrini7 分析师 Jukan 在 X 平台上发文表示，据半导体行业消息人士透露，公司将于近期向英伟达提交第六代高带宽内存（HBM4）最终样品。若通过英伟达资质认证测试，最快本月内有望收到量产采购订单。

这批样品是 SK 海力士自去年第四季度以来历经多轮设计修订的成果，目标是满足英伟达 11.7 Gb/s 最高数据传输速率的要求。

此次认证测试的背景尤为微妙。三星电子今年 2 月已率先向英伟达供应部分 HBM4 成品，并宣称"未经任何重新设计即开始量产出货"，在 HBM4 商业化进程中抢得先机。若 SK 海力士此次未能通过认证，"HBM4 主要供应商"的头衔或将易主三星。

多轮优化后的最后一搏

SK 海力士向英伟达提交的 HBM4 最终样品，已历经多轮优化迭代。

文章援引半导体行业消息，自去年 10 月底启动认证测试以来，双方曾发现 Rubin GPU 特定电路与 HBM4 存在兼容性问题。SK 海力士通过强化电路特性、缩小堆叠芯片层间间距等方式提升芯片速度，英伟达亦在多个层面提供协助，目前问题已得到解决。

HBM4 是英伟达新一代 AI 加速器 Rubin 的核心内存组件，后者预计于今年下半年发布。作为 SK 海力士 2025 年的旗舰产品，HBM4 通过垂直堆叠多层 DRAM 芯片，在容量与数据传输速度上均大幅优于传统 DRAM。

此次认证的核心不仅在于 “通过与否”，还涉及产品分级。英伟达将 HBM 产品分为 Bin 1（高端）与 Bin 2 两个性能档位。SK 海力士面临的挑战是在最终样品中展示技术实力，提升供货中达到高端档位 Bin 1 的比例。

三星抢跑，SK 海力士地位承压

过去数年，SK 海力士凭借与英伟达的深度绑定，在 AI 加速器 HBM 市场占据逾 90% 份额，稳居英伟达核心供应商地位。然而，随着 HBM4 步入商业化阶段，这一格局正面临挑战。

三星今年 2 月宣布开始向英伟达批量出货 HBM4，且强调未经重新设计即完成量产，被业界视为其在 HBM 竞争中的重要突破。相比之下，SK 海力士因兼容性问题导致认证进程延迟，其 HBM4 主供地位遭遇实质性考验。

文章援引行业观察人士，此次最终样品能否顺利通过认证，将直接决定 SK 海力士能否延续其在英伟达供应链中的核心地位。若认证受阻，三星有望借此确立 HBM4 主要供应商地位，在 AI 内存市场格局中实现逆转。

高层外交加码，集团董事长亲赴 GTC

在技术冲刺的关键阶段，SK 集团董事长崔泰源将亲自下场推动 HBM4 的销售攻势。据文章援引消息人士，崔泰源将出席 3 月 16 日在硅谷开幕的英伟达 GTC 2026 大会，预计将与英伟达 CEO 黄仁勋再度会面，并就 SK 海力士的 HBM 技术能力进行专项汇报。

上月，崔泰源已在硅谷与黄仁勋共进 “炸鸡配啤酒”，进一步巩固双方合作关系。此次 GTC 之行被视为 SK 海力士在技术认证关键节点上的高层外交配合，意在从商业关系层面为量产订单落地提供支撑。

1c 制程 LPDDR6 芯片研发告捷

在 HBM4 攻坚之外，SK 海力士今日宣布成功开发基于 10 纳米第六代（1c）制程的 16GB LPDDR6 移动端芯片，这是该公司目前最先进的 DRAM 制程节点。

据 SK 海力士介绍，与上一代相比，新产品数据处理速度提升逾 33%，能效提升逾 20%。公司计划于今年上半年完成量产准备，下半年开始供货。1c 制程 LPDDR6 的推出，展示了 SK 海力士在先进 DRAM 制程上的持续推进，为其在移动端内存市场的竞争力提供了新支撑。