Samsung and SK Hynix "adjust strategy": New storage factory production plan advanced

面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与 SK 海力士正加速推进新建晶圆厂的投产进程，战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业 “超级周期” 红利。

据韩国《朝鲜日报》报道，SK 海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年 2-3 月，在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽 P4 工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能 DRAM 与 HBM（高带宽内存）。

本轮提速扩产的背景，是全球 AI 数据中心扩张带来的服务器芯片需求井喷。KB 证券数据显示，截至今年 2 月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约 60%，短缺程度较去年四季度进一步加剧。三星电子内存出货量中已有约 70% 被 AI 数据中心企业吸收。

市场普遍预期供应紧张态势将持续至 2027 年。花旗集团预测，今年 DRAM 与 NAND 闪存的供给增速分别为 17.5% 和 16.5%，而需求增速则高达 20.1% 和 21.4%。

新产线提前数月投产

SK 海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，目标是明年 5 月竣工。该项目外部框架工程已完成约一半，6 个洁净室中的 3 个正在同步建设中。这座三层结构的工厂规模相当于其清州 M15X 晶圆厂的 6 倍。

据《朝鲜日报》报道援引知情人士，SK 海力士准备在预定竣工时间之前启动试运行，最早可能在明年 2-3 月。公司计划在率先建成的洁净室快速安装设备，优先投产 AI 时代需求激增的高性能 DRAM（如 DDR5）和 HBM 产品。

三星电子正在平泽建设 P4（第四工厂）晶圆厂，原定明年一季度竣工，现计划提前至今年四季度，生产时间表压缩约三个月。三星电子根据市场行情在内存和晶圆代工设备间灵活调配，P4 预计将专注生产当前供应紧张的高性能内存。据悉，三星电子最近制定战略，在 P4 工厂新建用于 HBM 的 10 纳米第六代（1c）DRAM 生产线，该产线月产能预计达 10 万至 12 万片晶圆。

据《朝鲜日报》援引一位半导体行业人士：

"韩国内存企业为提前生产时间正处于非常忙碌的状态。"

产能扩张仍难追需求增速

市场研究机构 Omdia 数据显示，三星电子的 DRAM 年产能（以晶圆计）将从 2024 年的 747 万片增至今年的 817.5 万片。SK 海力士同期产能将从 511.5 万片扩大至 639 万片。随着新工厂提前投产，明年产量有望进一步增长。

两家公司加速扩产的核心驱动力是 AI 数据中心扩张导致的服务器高性能 DRAM 需求激增。由于生产线集中生产高附加值的 HBM 芯片，通用 DRAM 的产量相对减少，加剧了供应紧张。

KB 证券指出：

"截至 2 月，内存芯片供应短缺强度较去年四季度加剧，主要客户的内存芯片需求满足率仅为 60%。三星电子内存出货量的 70% 被 AI 数据中心企业吸收。"

花旗集团分析，今年 DRAM 供应增长率为 17.5%，NAND 闪存供应增长 16.5%。相比之下，DRAM 需求增长率预计达 20.1%，NAND 闪存需求增长率为 21.4%，需求持续超过供应。

晨星和摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至 2027 年。DS 投资证券表示：

"如果 2027 年供应增长仅为 1%，本轮 DRAM 周期将至少持续到 2027 年。以服务器为中心的 DRAM 需求与竞争力直接相关，难以轻易削减，价格上涨预计将持续至 2026 年三季度。"

企业确认大幅增加资本支出

三星电子和 SK 海力士在最近的业绩发布会上均表示，将增加今年的资本支出以应对内存短缺。三星电子内存事业部副总裁 Kim Jae-june 表示：

"随着 AI 相关需求预计持续，我们计划在 2026 年大幅扩大设备投资规模。但今年和明年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧。"

这一表态凸显了半导体产能扩张的时滞特性。尽管企业加大投资并提前投产时间，但从建设到稳定量产仍需时间，短期内难以完全缓解供需失衡。

一位半导体行业人士解释提前试运行的战略意图：

"这是为了快速进入试运行阶段，稳定量产系统，同时向客户发出能够稳定供应的信号。"