Storage giant's quarterly report "Five Key Points": Current cycle strength surpasses the 2017-18 "cloud boom cycle"

随着存储巨头们四季度财报的披露，一个清晰的信号正在释放：存储行业不仅走出了低谷，更在 AI 浪潮的推动下，开启了一轮强度罕见的 “超级周期”。

据追风交易台消息，本周，美银美林团队总结了存储巨头财报电话会议的精华，并结合韩国半导体展（Semicon Korea）的一线见闻，指出当前市场正处于库存极低、价格飙升且资本开支大幅扩张的强劲上升期。

财报季 “五大关键信号”

美银美林分析师 Simon Woo 团队在研报中提炼了存储企业四季度财报的五个核心信号，这些信号直接指向了供需关系的根本性逆转。

首先，库存水平已经降至 “警戒线” 以下。 以 SK 海力士为例，其库存周转天数已从 2023 年一季度的 233 天峰值，大幅下降至仅 127 天。更惊人的是，成品存储模组的库存仅能维持 2-3 周，而正常水平通常在 10 周以上。这意味着，一旦需求稍有波动，供应链将面临极大的缺货压力。

其次，产品平均售价（ASP）正在经历 “暴力” 修复。 三星电子的 DRAM 平均售价环比暴涨 40%，SK 海力士的 NAND 售价也环比上涨了 32%。这种涨幅在成熟的半导体周期中并不多见。

第三，巨头们正在疯狂 “烧钱” 扩产。 面对 AI 带来的 HBM（高带宽内存）需求井喷，厂商们开启了激进的资本开支计划。SK 海力士的资本开支从 2024 年四季度的 7 万亿韩元，预计将激增至 2025 年三季度的 12 万亿韩元。

第四，HBM4 量产执行力超预期。 三星和 SK 海力士在下一代 HBM4 的量产和出货方面进展顺利，这直接决定了未来在 AI 算力市场的份额。

最后，行业对未来的指引极度乐观。 这种乐观不仅针对 2026 年一季度，更指向长期的 “存储超级周期”。南亚科技（Nanya Tech）总裁更是直言不讳地指出：

“由于 AI 的驱动，当前的周期比 2017-18 年的云服务器繁荣周期要好得多。”

他进一步解释道，与高度定制化的晶圆代工不同，存储器仍被视为大宗商品（遵循 JEDEC 标准），这意味着如果短缺持续到 2027 年，价格还有进一步上涨的空间。

美银的 “存储指标”（Memory Indicator）也佐证了这一点。该指标在 12 月已回升至 124 的 “上行周期” 水平，而 2025 年上半年的平均值仅为 103。

现货市场：价格高企，出口数据强劲

尽管近期 DRAM 现货价格保持稳定，但这建立在已经大幅上涨的基础之上。

目前，主流的 16Gb DDR5 现货价格维持在 38 美元的历史高位，同比涨幅高达 709%；16Gb DDR4 价格更是达到 78 美元，同比暴涨 2445%。美银美林指出，DRAM 价格已触及过去 25 年来的最高水平，远超 2017 年 10 月上一轮周期顶峰时的 10 美元区间。

虽然部分 OEM 厂商暗示，由于存储成本激增或短缺，低端智能手机、平板和 PC 的组装线出现了暂时停工，但这并未阻挡整体出货的强劲势头。

数据不会说谎。台湾地区 1 月份的销售数据表现强劲，南亚科技、威刚（ADATA）、创见（Transcend）和群联（Phison）等厂商的月度销售额环比增长超过 20%，同比更是翻倍。韩国 2 月前 10 天的半导体出口额也同比激增 138%。

值得注意的是，SSD（固态硬盘）产品价格本周大幅上涨，周环比涨幅达 40%，月环比涨幅达 60%，这反映出市场对下半年可能出现的短缺感到担忧。

韩国半导体展见闻：设备商的 “盛宴”

美银美林团队实地探访了在首尔举办的韩国半导体展（Semicon Korea），现场的火爆程度印证了行业的景气度。

参展的设备供应商透露了几个关键信息：

1. 巨头不仅是客户，更是 “金主”： 三星和 SK 海力士创纪录的资本开支，让设备商们赚得盆满钵满。

2. HBM 生产极其耗时： HBM 的制造周期很长，特别是热压键合（TCB）环节。一台机器每天只能处理几片晶圆，因此要维持 5 万到 10 万片/月的产能，需要超过 100 台 TCB 设备。

3. 技术路线的博弈： HBM 混合键合（Hybrid Bonding）技术的采用可能会推迟，即使是 16 层或 20 层的 HBM，厂商仍倾向于使用 NCF（非导电薄膜）或 MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）技术。

4. 后端设备订单波动大但前景好： 虽然目前后端设备订单较弱，但随着 HBM4 产能爬坡以及未来 HBM4e 的推出，预计下半年或 2027 年将迎来复苏。

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