存储器大战：NAND 闪存和 DRAM
存储器巨头正聚焦于 NAND 闪存堆叠层的突破，以及 DRAM 先进制程节点和 3D DRAM 技术。三星预计将于本月量产第 9 代 NAND 闪存，层数将达到 290 层，展望未来计划研发 1000 层 NAND 闪存。美光已完成试产下一代 1γ DRAM，并计划利用 EUV 技术开始大规模生产 1c 纳米 DRAM。三星计划在 2025 年迈入 3D DRAM 时代，已展示了垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM 技术。SK 海力士正在研发以 IGZO 为沟道材料的新一代 3D DRAM。
受人工智能和大数据驱动，数据存储的需求激增，对存储技术的先进性提出了更高要求。
在此背景下，存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。
NAND 闪存
主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。
近期，《韩国经济日报》报道称，三星预计将于本月晚些时候量产第 9 代 NAND 闪存（V-NAND）。该公司在 2022 年已经实现了 236 层的第 8 代 V-NAND 闪存的规模化生产。即将推出的第 9 代 V-NAND 闪存仍将采用双层 NAND 闪存堆叠结构，层数将达到290 层。业界预测，三星未来的第 10 代 V-NAND 预计将达到430 层，届时将转向 3 层堆叠结构。
展望未来，三星和铠侠（Kioxia）均已公布其研发1000 层 NAND 闪存的计划。三星的目标是在 2030 年之前研发 1000 层 NAND 闪存，铠侠则计划在 2031 年之前量产超过 1000 层的 3D NAND 闪存芯片。
DRAM
存储器巨头们正聚焦于先进制程节点和 3D DRAM 技术。
2024 年 3 月，美光（Micron）在其财报中披露，目前大部分 DRAM 芯片都处于 1α和 1β的先进节点，下一代1γ DRAM将引入 EUV 光刻机，并已完成试产。
三星的 DRAM 芯片技术处于 1b 纳米级别，近期报告表明，该公司计划在今年内利用 EUV 技术开始大规模生产 1c 纳米 DRAM。同时，三星也将在 2025 年迈入 3D DRAM 时代。该公司已经展示了两种3D DRAM技术：垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM。
SK 海力士也在积极研发 3D DRAM。去年，BusinessKorea 报道称，SK 海力士提出将 IGZO 作为新一代 3D DRAM 的沟道材料。根据业界消息来源，IGZO 是一种由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料。其最大的优势在于待机功耗低，非常适合需要长寿命的 DRAM 晶体管。这一特性可以通过调整 In（铟）、Ga（镓）和 ZnO（氧化锌）的成分比例来很容易实现。
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Source:TrendForce; Intensifying Battle of Technology Among Storage Giants; April 16, 2024
本文作者：常华 Andy，来源：Andy730，原文标题：《存储器大战：NAND 闪存和 DRAM》